TP4060拓微800mA线性锂离子电池充电器优势产品
800mA 线性锂离子电池充电器
描述
TP4060 是一款完整的单节锂离子电池充电器,带电池正负极反接保护反接,具有更大 800mA 的充电电流,更稳定的电流一致性。其采用恒定电流/恒定电压线性控制,SOP 封装与较少的外部元件数目使得 TP4060 成为便携式应用的理想选择。TP4060 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。
由于采用了内部 PMOSFET 架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到 4.2V 之后,充电电流降至设定值 1/10,TP4060 将自动终止充电。
当输入电压(交流适配器或 USB 电源)被拿掉时,TP4060 自动进入一个低电流状态,电池漏电流在 2uA 以下。TP4060 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和两个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。
特点
·锂电池正负极反接保护;
·高达 800mA 的可编程充电电流;
·无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管;
·用于单节锂离子电池
·恒定电流/恒定电压操作,并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能;
·可直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电;
·精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压;
·最高输入可达 9V;
·自动再充电;
·2 个充电状态开漏输出引脚;
·C/10 充电终止;
·待机模式下的供电电流为 145uA;
·2.9V涓流充电器件版本;
·软启动限制了浪涌电流;
·采用 8 引脚 SOP-PP 封装。
应用
·移动电话、PDA
·MP3、MP4播放器
·数码相机
·电子词典
·GPS
·便携式设备、各种充电器
绝对最大额定值
·输入电源电压(VCC):-0.3V~9V
·PROG:-0.3V~VCC+0.3V
·BAT:-4.2V~7V
·CHRG :-0.3V~10V
·BAT 短路持续时间:连续
·BAT 引脚电流:800mA
·PROG 引脚电流:800uA
·最大结温:145℃
·工作环境温度范围:-40℃~85℃
·贮存温度范围:-65℃~125℃
·引脚温度(焊接时间 10 秒):260℃
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香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
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3“无限追溯”机制虽为杯弓蛇影,但若一语成谶,对中国半导体崛起会否形成“致命打击”?
5月12日晚间,一则新闻在整个科技圈广泛传播。消息称美国半导体设备商LAM(泛林半导体)和AMAT(应用材料公司)对国内半导体代工厂中芯国际和华虹半导体等发函,要求禁止用其设备生产军用产品,并启动“无限追溯”机制。
但随后,中信证券电子组立即询问相关上市公司,中芯国际、华虹半导体方面表示未收到类似函件。此外,中信证券还表示已与消息来源确认,对方表示相关描述不准确,中芯国际和华虹半导体和此事件无关,并未收到类似信函,致歉并确认随后会修改相关稿件,并进行了戏剧性的“辟谣”。
当然,这则“谣传”能在极短时间内引发业内轰动,也是对当前市场环境和行业形势的最直观的影射。毕竟,4月27日,美国商务部才刚刚宣布针对他国“军民融合”方案新的出口管制措施;且在此之前,美国也不断通过直接或间接的各种渠道,没少打压过国内半导体企业。久而久之,在麻木之余,大量国内半导体企业对美国的施压也逐渐形成了杯弓蛇影、居安思危的防范思维,实属正常。虽然事实上,国内代工龙头十几年以来都是延循“无军工业务”这一要求,并按照严谨的程序进行申请、审查。不过,万一“无限追溯”真一语成谶,与LAM和AMAT相对的半导体设备“国家队”又有多少可以替代的筹码呢?
1、北方华创
在国内半导体设备公司中,北方华创可谓位列前茅,旗下的半导体设备品类最全,覆盖了PVD、CVD、刻蚀机、ALD、氧化炉、退火炉、MFC、清洗机等前道工序所需的大部分核心设备,并被众多国内大厂采用。比如,其28nm刻蚀机落户中芯和华力微;28nm PVD被中芯北京厂指定为28nm制程Baseline机台、AI Pad PVD被用于武汉新芯NAND产线关键制程环节;12英寸单片清洗机、氧化炉、单片退火设备等均已进驻中芯28nm生产线;14nm等离子硅刻蚀机、单片退火系统、LPCVD已成功进入主流代工厂;多款10nm设备也正处于研发中。
而在各类设备的市场占比方面,据悉北方华创的氧化/扩散/热处理设备在存储产线份额达32%,例如在华力微和华虹无锡的份额分别为6.3%和3.8%;而刻蚀和薄膜沉积相对份额较小,比如在介质刻蚀和硅刻蚀设备领域该公司均有布局,硅刻蚀设备市场中,北方华创占有15%市场份额,目前用于浅槽隔离的介质刻蚀设备已量产,硅刻蚀设备也已量产,金属刻蚀设备也有布局,并拥有中芯国际、华虹、华力等国内一流客户;PVD设备方面,以长江存储30k产能产线招标为例,北方华创中标阻挡层PVD 3台,占比18%;其他如晶圆直径小于150mm的IC制造邻域,北方华创也可以小批量提供立式扩散炉/退火炉/氧化炉/合金炉;同时,在晶圆清洗机和单片清洗机方面,该公司也均有布局,不过虽获得了国内大客户订单,但营收规模尚小。
4月25日,北方华创也发布了2019年年度报告称,公司实现营业收入为40.58亿元,同比增长22.10%;实现归属于上市公司股东的净利润为3.09亿元,同比增长32.24%。其中,电子工艺装备业务实现营业收入31.91亿元,在整体营收当中占据较大比重,同比增长26.58%。这也进一步说明,北方华创作为国内代表性半导体设备厂商,正得到越来越多国内下游客户的支持。
2、中微半导体
半导体刻蚀机为主营产品的中微半导体,近年来一直都是本土半导体设备领域被寄予厚望的企业。当然,作为国内半导体设备打入国际市场的代表,中微也不负众望,旗下16nm介质刻蚀机已在诸多产线上运行,且是唯一进入台积电7nm/5nm制程蚀刻设备名单的大陆设备商,此外其1Xnm的DRAM和128层以上的3D NAND芯片等ICP刻蚀设备也正在研发当中。
从市场份额上来看,介质刻蚀是中微公司的优势领域,主要采用CCP刻蚀,其2017年全球市占率为2.5%,18年在5%左右,其介质刻蚀机在华力微、华虹无锡、长江存储份额维持在15%左右。以从中芯国际、长江存储和合肥睿力的招标情况为例,从中微采购的刻蚀机台数占整体刻蚀机台采购比例约15-20%,逼近东京电子和应用材料。而按材料来细分的话,国内介质刻蚀设备市场中,中微占有25%份额,国产化率在各类半导体设备中属于较高水平。其他如薄膜生长设备领域,中微半导体也占有7%的市场份额,典型如MOCVD设备,中微公司占有着24%市占率,上升势头明显。
但总体来看,根据本土产线设备需求的国产化情况,刻蚀设备的国产化率仅占20%。且相比国际大厂泛林半导体、应用材料以及东京电子而言,国产刻蚀设备品类也还不够完整,针对不同工艺的刻蚀设备的加快验证和量产,在当下显得尤为紧迫。
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