SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET
SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 850mV @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 -
功率 - 最大 710mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 57@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 2.6 A
抗漏源极RDS （ ON） 0.057 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 7 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 710 mW
上升时间 7 ns
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI2302CDS-GE3
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 710
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 57@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.6
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 0.71W
匹配代码 SI2302CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 2.6A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.075Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 850mV @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 710mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.057 Ω
最大功率耗散 0.71 W
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5
宽度 1.4mm
RDS（ON） 57 mOhms
漏极电流（最大值） 2.6 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?8 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.057 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.9A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :57mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :8V
Threshold Voltage Vgs :850mV
功耗 :710mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :2.9A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :850mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Voltage Vgs th Max :0.85V
Voltage Vgs th Min :0.4V
5月9日，据外媒macrumors报道，受全球疫情的影响，苹果计划将新款AirPods发布时间推迟。
事实上，新版蓝牙耳机AirPods可能延期发布早有消息。早在3月份，Digitimes的一份报告就暗示，需求不足可能会影响苹果2020年新款AirPods的发布。
这与分析师郭明錤最近的一份报告相吻合，4月，长期研究苹果公司的分析师郭明錤在一份报告中表示，第三代AirPods蓝牙耳机将于2021年上半年开始量产，而不是今年。除了延期之外，因为对第二代耳机的需求在下降，因此预计苹果会对新版耳机内部采用一种新的设计：即采用SiP替代第二代耳机的PCB+SMT设计。
另外，2021年第四季度至2022年第一季度期间，第二代AirPods Pro也将开启量产，而苹果传闻中的高端头戴式耳机也将于2020年年中进入量产阶段。
作为世界上最畅销的无线蓝牙耳机，AirPods也成为了当今苹果硬件产品中销量增长最快的产品。在蓝牙耳机市场，苹果再次上演后来居上，AirPods系列获得了相当不错的市场份额。
根据Counterpoint Research的数据显示，去年该产品占据了全球市场约50%的份额，销量约为6500万部。预计到2020年，销量将增长至1亿部。相比之下，三星、小米等友商的份额都不超过一成。
然而，这似乎和另外一个事件有关。
5月9日，据外媒报道，本季度将有300-400万部AirPods产能的生产线将由中国迁移至越南，这一数目大约占苹果同期AirPods产量的30%，此举无疑将进一步推动苹果的供应链多元化。
据悉，这是苹果公司首次在越南生产AirPods无线耳机，大规模生产于3月份就已经开始。越南政府还给予苹果蓝牙耳机的代工企业特别入境许可，以便工程师前往越南布局苹果蓝牙耳机的生产线。
早在去年，日本一家权威财经媒体就曾透露，苹果公司对在越南试产其蓝牙耳机产生了兴趣，苹果已要求供应商考虑将20%左右的生产从中国转移到东南亚等地区。
不过，迁移的生产线不包括去年推出的带降噪功能的AirPods Pro，该型号仍在中国生产与组装。苹果最重要的代工企业主要的制造基地都在中国，为了保持稳定的产品供应，近些年已经开始推崇制造基地多元化的策略。目前，许多大型美国科技公司也正在部署分散生产线，越南、印度和其他东南亚国家也是这些公司的主流选择。
近几年，随着智能手机、平板电脑和笔记本电脑三大硬件销量连续下滑，苹果硬件业务开始另谋出路，更加重视其他小硬件的销售及市场，例如苹果手表、智能音箱，蓝牙耳机等等。
据悉，苹果小硬件业务今年一季度已贡献逾60亿美元的收入，已经超过个人电脑和平板电脑两类业务。
这可以看作苹果疫情下“复苏”计划的一步，在终端上也是同步开启。
5月9日，据The Verge报道，早前关闭的美国境内的部分门店将于下周恢复正常的运营工作，让用户更快能够购买到产品。
据悉，苹果发言人在一份声明中表示，下周开始在美国重新开张零售店，首先是部分州的部分零售店，团队正在不断观察当地的疫情变化和政府指导，为重新安全开业做准备。
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自转向以数据为中心的全方位创新战略以来，英特尔正加速航行。作为重要棋子的FPGA，英特尔也加快了出新步伐。近日，英特尔宣布出货全新Stratix 10 DX FPGA，而基于10nm工艺的Agilex系列已向参与早期使用计划的客户出货，明年将正式量产。
异构方案解决加速挑战
“众所周知，数据已呈指数级增长，客户所寻求的是将这些数据货币化，希望可通过全新应用以及对现有应用提速来实现货币化的目的，而充分利用这些海量数据就需要异构方案。”英特尔公司网络和自定义逻辑事业部副总裁兼FPGA和电源产品营销总经理Patrick Dorsey指出异构计算在数据时代的优势所在，“这种异构架构包含了CPU、GPU、AI芯片以及FPGA，只有综合性、针对性地解决具体问题，才能打造一个完整的解决方案。”
而在异构平台中，FPGA绝对“不可或缺”。随着摩尔定律的放缓以及大数据、AI、5G、自动驾驶等的发展，对计算能力和带宽提出了前所未有的要求，同时新的算法新的框架层出不穷，要应对这一变化就需要灵活应变的FPGA。据预计到2022年，FPGA市场将达到75亿美元的规模，年复合成长率为9%。
而数据中心的两大指标需要“和衷共济”：即网络吞吐量必须提高，而时延必须降低。Patrick Dorsey表示，随着服务器需要更高效的计算以处理AI等相关负载，包括FPGA、GPU等在内的硬件加速器被广泛使用，但其有效性能在很大程度上取决于CPU、可用系统内存和加速器之间的通信带宽和延迟。
于是乎，在4年前英特尔将Altera纳入囊中之后，可打造“全能异构平台”的英特尔继宣布在中国重庆成立全球最大的FPGA中国创新中心以来，又重磅宣布FPGA组合家族当中的一个全新产品Stratix 10 DX，借力至强处理器Xeon+Stratix 10 DX的“组合拳”应对加速挑战。
Xeon+FPGA组合带来高内存扩展能力
对于这一全新组合，Patrick Dorsey分析其最大优势在于低时延、高带宽以及内存扩展能力。Stratix 10 DX不仅是英特尔首个支持PCIe Gen4的FPGA，同时通过与至强处理器采取超路径互连UPI，从而带来了关键价值即可快速扩展内存，如可支持8个独立的傲腾DC持久内存控制器，总容量可到4TB。
Patrick Dorsey解释说，内存无论是DDR还是傲腾，通过在至强处理器与FPGA之间共享存储，在共享过程中就不用进行数据迁移或拷贝，因数据迁移和拷贝会带来高成本，同时也会降低系统的性能。从新的内存金字塔层级来看，不同类型的内存包括存储、持久性内存以及标准化内存，Stratix 10 DX则可提高塔尖高层级内存性能，如傲腾和DRAM。
针对不同应用性能的优化，Patrick Dorsey列出了具体数字：在边缘计算应用中，Stratix 10 DX在拥有UPI之后，比仅使用PCIe的响应速度快37%。而在网络应用中，因支持PCIe Gen4，带宽比前一代PCIe Gen3扩大了两倍，使得数据处理更为快速，同时也拥有以太网功能。而在数据中心方面，通过英特尔的异构即Xeon+FPGA计算，加之PCIe Gen4与UPI的互联，总带宽可提升2.6倍。
虽然英特尔已宣布退出5G基带业务，但仍专注于基础设施。对于正式商用的5G，Stratix 10 DX也大有可为。Patrick Dorsey介绍：“Stratix 10 DX可应用于5G基站，其好处体现在低时延，尤其是当5G走向数据中心、在vRAN方面应用时配合至强处理器，可进行诸多网络功能的加速。”
目前新款FPGA与至强处理器通过UPI互连，Patrick Dorsey在谈及未来封装一体化问题提及，多样化的FPGA可使得客户进行灵活的配置和优化，集成封装还非必须。
下一代Agilex实现诸多创新
而祭出的Stratix 10 DX FPGA还只是一个发韧，对于FPGA英特尔的完整路线图已然浮出水面， Agilex FPGA系列也已出货，明年量产。
据悉，英特尔Agilex FPGA系列几乎集成了英特尔现阶段所有的技术和创新优势，包括架构、封装、工艺、开发工具以及通过eASIC技术实现降低功耗的快速方式。
Patrick Dorsey着重说，Agilex采用英特尔的10nm工艺，可对标业界的7nm水平。并且，Agilex将支持下一代UPI，即基于CXL的开放标准接口，同时还将支持第五代PCIe，其他创新还包括第二代HyperFlex架构、DSP创新等。他还强调，目前UPI只可搭配至强处理器使用，未来CXL将是公开的，可适配任何处理器。而从UPI过渡到CXL，只需对硬件接口和一些软件进行更新。最重要的是开发者已可使用UPI进行应用开发，客户也可向CLX进行无缝转移以及迭代。
放眼FPGA领域的两大巨头，在数字时代做出了殊途同归的选择，英特尔的异构平台显然是其重要筹码。Patrick Dorsey最后指出，仅仅拥有四种架构是不够的，为保证客户能够充分利用异构的优势，英特尔一方面面向开发者提供产品路线图以及one-API统一应用开发接口等，另一方面针对端到端的硬件部署与客户展开密切合作。
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