BCP55产品详细规格
集电极电流（ DC）（最大值） 1 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率（最大） 180 MHz
功率耗散 0.96 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 SOT-223
引脚数 3 +Tab
元件数 1
直流电流增益（最小值） 63
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 180 MHz
直流电流增益 63
集电极电流（DC ） 1 A
外媒报导，高通与中国大唐电信子公司合资的「瓴盛科技」即将推出第一款多领域的AIoT芯片，该款芯片已成功试产，预计将于今年下半年正式量产。
根据知情人士透露，瓴盛第一款 AIoT 芯片将采用 11nm FinFET 制程工艺，整合 AI 处理引擎，不仅具有强大的视讯信号处理、编译码能力，同时还具备强大图形处理能力，可广泛应用于智能安控、人脸办识、视频会议、汽车电子、运动相机等多种智能物联网领域，提供足够的 AI 处理能力来满足各类需求。
随着 5G 持续向下渗透，AIoT 产业应用越来越广泛，许多产业及应用将 AI 与 IoT 结合到一起，使得 AIoT 成为各大传统产业进行智能升级的最佳方式，近几年，AIoT 的高速发展，已催生出多样化的应用场景，目前 AIoT 已经能在智慧家居、智慧城市、智慧安控及工业机器人等领域广泛应用。
自瓴盛成立以来，在极短时间于北京、上海、成都均完成布局，被喻为 IC 设计领域的黑马，成为联发科、展讯的竞争对手。
瓴盛成立初期曾遭市场质疑，高通已在中高阶芯片市场处于垄断地位，且拥有不俗利润，为何还要打进利润微薄的中低阶市场？特别以高通的技术，切入中国中低阶芯片产业，将对中国中低阶芯片市场造成冲击，甚至使中国大陆厂无力再向中高阶芯片发展。
但也有不同看法表示，瓴盛的芯片将交由中芯代工，同时高通股份只占约 24%，意谓 IC 设计和制造均由中国团队和企业主导，这有利于中国极力提倡的「中国芯片」的生产政策。
AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A
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