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PESD24VL1BA

发布时间2020-3-30 11:53:00关键词:PESD24VL1BA
摘要

PESD24VL1BA

PESD24VL1BA NXP 双向 TVS 二极管, 200W, 7SOD-323原装正品

配置 Single

外形尺寸 1.8 x 1.35 x 1.05mm

方向类型 Bi-Directional

ESD保护 Yes

身高 1.05mm

长度 1.8mm

最大钳位电压 70V

最高工作温度 +150 °C

最大峰值脉冲电流 3A

最大反向漏泄电流 0.05μA

最大反向防区外电压 24V

最小击穿电压 25.4V

最低工作温度 -65 °C

安装类型 Surface Mount

每个芯片的元件数 1

包装类型 UMD

峰值脉冲功率耗散 200W

引脚数 2

测试电流 5mA

宽度 1.35mm

二极管类型 :Bidirectional TVS

Clamping Voltage Vc Max :27.8V

Diode Case Style :SOD-323

No. of Pins :2

MSL :-

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Alternate Case Style :SC-76

击穿电压 :27.8V

Breakdown Voltage Max :30.3V

Breakdown Voltage Min :25.4V

Breakdown Voltage Range :25.4V to 30.3V

Breakover Voltage Min :25.4V

Capacitance Cd @ Vr Max :9pF

Capacitance Cd @ Vr Typ :11pF

Clamping Voltage @ 8/20μs Max :70V

二极管配置 :Bidirectional

Peak Pulse Current Ippm :3A

Peak Pulse Power :200W

引脚配置 :1

Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :24V

SMD Marking :AF

Stand-off Voltage :24V

TVS Polarity :Bidirectional

Weight (kg) 0.000004

Tariff No. 85411000

PESD5V0V1BSF,315产品详细规格

极性 Bidirectional

工厂包装数量 9000

Vesd - Voltage ESD Contact 8 kV

钳位电压 12.8 V

Ipp - Peak Pulse Current 1 A

品牌 Nexperia

Pd - Power Dissipation 8 W

端接类型 SMD/SMT

Cd - Diode Capacitance 3.5 pF

封装 Reel

击穿电压 6 V

Vesd - Voltage ESD Air Gap 15 kV

通道数 1 Channel

封装/外壳 SOD-962

最高工作温度 + 150 C

RoHS RoHS Compliant

据厦门网报道,目前士兰微厦门在建的士兰12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线一期项目厂房已基本完成结构封顶,今年5月中旬和6月底工艺设备将分两次搬入,预计年底通线。

士兰12英寸集成电路制造生产线项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营,公司注册资本为20亿元。该项目总投资170亿元,建设两条以MEMS、功率器件为主要产品的12英寸集成电路制造生产线。

其中目前在建的士兰第一条12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线项目总建筑面积约25万平方米,总投资70亿元,分两期建成。项目一期建成达产后年销售额将超过10亿元。二期项目建成后,预计年生产总值可达40亿-50亿元。

厦门网指出,该项目是国内首条12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线,主要生产功率半导体芯片和MEMS传感器,它的落地将填补国内特色工艺半导体芯片方面的空白,助力我国在特色工艺半导体芯片方面实现弯道超车,对提升厦门乃至福建集成电路产业在国家战略布局中的格局和地位,具有里程碑意义。

该项目负责人朱利荣介绍,目前,该项目的FAB(主厂房)、CUB(动力中心)、研发中心、特气站等小栋号及配套食堂、宿舍建筑正在同步推进,进展顺利。

事实上,在士兰12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线项目建设工地隔壁,士兰微还投资了另一个重磅工程——士兰化合物半导体芯片制造生产线项目,目前,该项目已在去年底实现初步投产。

该项目由厦门士兰明镓化合物半导体有限公司负责实施运营,公司注册资本为8亿元。总建筑面积约6.6万平方米,项目总投资50亿元,建设4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线,主要产品包括先进的化合物器件、高端LED芯片、第三代化合物功率半导体器件。

据该项目运营总监田觉表示,生产线主要生产第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等,产品市场大,应用范围广,未来将不断向高端产品发力。

AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A

香港鑫锐电子有限公司是一家专业从事集成电路配套的供应商,在本行拥有多年的销售经验!备有大量现货库存,诚信为本,客户至上,为客户把产品的质量关!

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7SOD-323原装正品

配置 Single

外形尺寸 1.8 x 1.35 x 1.05mm

方向类型 Bi-Directional

ESD保护 Yes

身高 1.05mm

长度 1.8mm

最大钳位电压 70V

最高工作温度 +150 °C

最大峰值脉冲电流 3A

最大反向漏泄电流 0.05μA

最大反向防区外电压 24V

最小击穿电压 25.4V

最低工作温度 -65 °C

安装类型 Surface Mount

每个芯片的元件数 1

包装类型 UMD

峰值脉冲功率耗散 200W

引脚数 2

测试电流 5mA

宽度 1.35mm

二极管类型 :Bidirectional TVS

Clamping Voltage Vc Max :27.8V

Diode Case Style :SOD-323

No. of Pins :2

MSL :-

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Alternate Case Style :SC-76

击穿电压 :27.8V

Breakdown Voltage Max :30.3V

Breakdown Voltage Min :25.4V

Breakdown Voltage Range :25.4V to 30.3V

Breakover Voltage Min :25.4V

Capacitance Cd @ Vr Max :9pF

Capacitance Cd @ Vr Typ :11pF

Clamping Voltage @ 8/20μs Max :70V

二极管配置 :Bidirectional

Peak Pulse Current Ippm :3A

Peak Pulse Power :200W

引脚配置 :1

Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :24V

SMD Marking :AF

Stand-off Voltage :24V

TVS Polarity :Bidirectional

Weight (kg) 0.000004

Tariff No. 85411000

公司:香港鑫锐电子有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

电话:0755-83780666/83265111

传真:0755-82800889

QQ: 3373563833

地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B

公司网址:www.xrdz-hk.com

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