CL05B152KA5NNNC产品详细规格
规格书 CL05B152KA5NNNC datasheet 规格书
标准包装 10，000
电容 1500pF
电压 - 额定 25V
公差 ±10%_
温度系数 X7R
安装类型 Surface Mount， MLCC
操作温度 -55°C ~ 125°C
应用 General Purpose
等级 -
包/盒 0402 (1005 Metric)
大小/尺寸 0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
高度 - Seated (Max) -
厚度（最大） 0.022 (0.55mm)
引线间距 -
特点 -
包装材料 Tape & Reel (TR)
导致风格 -;;其他的名称；
封装/外壳 0402
安装 Surface Mount
电容值 0.0015 uF
电压 25 Vdc
容差 10 %_
介质 X7R
工作温度 -55 to 125 °C
结构 Flat
产品长度 1 mm
产品高度 0.5 mm
标准包装 Tape & Reel
产品长度 1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 125
产品厚度 0.5
产品高度 0.5
封装 Paper Tape and_Reel
机箱样式 Ceramic Chip
技术 Standard
安装类型 Surface Mount， MLCC
电压 - 额定 25V
电容 1500pF
温度系数 X7R
尺寸/尺寸 0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
应用范围 General Purpose
封装/外壳 0402 (1005 Metric)
厚度（最大） 0.022 (0.55mm)
其他名称 1276-1519-2
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工作温度范围 -55C to 125C
弧度硬化 No
故障率 Not Required
公差（ +或 - ） 10%_
温度系数（绝缘） X7R
线形式 Not Required
安装风格 Surface Mount
产品长度（mm ） 1 mm
产品厚度（毫米） 0.5 mm
产品高度（mm ） 0.5 mm
产品直径（mm ） Not Required mm
Thickness(mm) 0.5mm
RatedVoltage 25Vdc
TempCharacteristic X7R(-55 ~ +125)
Size L x W mm (Inch) 1.0x0.5(0402)
香港鑫锐电子有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:香港鑫锐电子有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
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地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址：www.xrdz-hk.com
据外媒报道，科技巨头们越来越多地自主设计半导体芯片，以优化AI功能、提高服务器性能及延长电池续航时间等。谷歌拥有张量处理单元(TPU)，苹果拥有A13仿生芯片，亚马逊拥有Graviton 2。然而，这些巨头们都缺少能够帮助生产新芯片的工艺。为了帮助它们，三星电子公司计划在未来十年投入1160亿美元资金以推动芯片制造业务扩张。
三星正大举投资于半导体微型化的下一代技术，也被称为极紫外光刻(EUV)技术。这是三星迄今为止尝试过的最昂贵制造业务升级，也是一次冒险的尝试，目的是让自己不再局限于现有的半导体生产业务，也不再满足于只充当代工和逻辑芯片行业的领先者，即使这个行业的规模已达2500亿美元。
三星代工业务执行副总裁尹永植最近在首尔举行的论坛上表示：“一个新的市场正在崛起。像亚马逊、谷歌和阿里巴巴这样在硅设计方面缺乏经验的公司，正寻求用自己的概念想法来制造芯片，以提升他们的服务水平。我认为，这将为我们的非存储芯片业务带来重大突破。“
在这个不断增长的领域，三星相对处于劣势。市场研究公司TrendForce的数据显示，芯片代工业务，如为谷歌和高通等公司制造芯片，始终由台积电(TSMC)主导，其市场占有率超过一半，而三星的市场份额仅为18%。
台积电还从三星手中接过了苹果A系列处理器的代工业务，尽管三星是苹果最初的生产合作伙伴。三星计划在未来十年每年投入超过100亿美元用于设备研发，但台积电的雄心更大，今明两年的资本支出约为140亿美元。
野村金融投资公司泛亚洲科技部主管CW Chung在评估三星的成功机会时表示：“这不仅仅是意愿的问题，芯片制造就像是一门合成艺术。除非对基础设施提供全面支持，否则这将是一个难以实现的目标。”
为了赢得客户青睐，三星高管正在圣何塞、慕尼黑以及上海等大城市举行巡回演讲，举办代工论坛并洽谈交易。
三星代工业务总裁兼总经理Es Jung今年早些时候陪同韩国总统文在寅和李在镕，为耗资170亿美元的EUV工厂揭幕时表示：“EUV设备绘制线条的复杂性与建造宇宙飞船差不多。”这家工厂计划于2020年2月开始批量生产。
ASML Holding NV的EUV机器售价1.72亿美元，三星正在华城安装数十台EUV机器，以努力在这项技术上取得领先地位。台积电和三星都有望在新的一年里实现EUV的5纳米生产工艺，这意味着它们在这个日益扩大的市场上竞争将日益激烈。
花旗集团公布的研究报告显示，一旦台积电和三星加速并实现规模经济，整个工艺周期的升级时间可能会减少20%，代工产能产出则会增加25%。
现代汽车证券公司高级副总裁格雷格·罗(Greg Roh)表示：“随着我们进入5G时代，台积电陷入极度忙碌状态，新产品的订单蜂拥而至。对三星来说，这也是个很好的机会，通过提供更低价格和更短交货时间表来满足客户的需求，从而扩大他们的市场份额。”
据直接了解此事的三星高管透露，三星正在与主要客户合作设计和制造定制芯片，这项工作已经开始增加其收入。硅谷和中国对定制处理器的推动正在打开新的机会，三星已经为此建立了合作关系，最近宣布将于明年初为百度生产AI芯片就证明了这一点。
三星的管理人员认为，该公司拥有竞争优势，因为它在制造芯片和设备方面的经验都很丰富。因此，三星能够预见和解决其客户面临的工程要求。三星认为，其另一张王牌是将内存和逻辑芯片封装到单个模块中的能力，从而提高功率和空间效率。
然而，分析人士警告说，有些公司对将生产外包给消费电子市场的直接竞争对手持谨慎态度，担心三星学习并在自己的产品中复制他们的芯片设计。分析师们称：“归根结底，三星逻辑芯片业务的成功取决于其市场定位。在代工方面，三星需要消除客户的怀疑，让他们不再将其视为逻辑芯片业务的潜在竞争对手。”
三星正在与智能手机制造竞争对手接触，并已同意向vivo出售5G Exynos芯片。与此同时，该公司将使用相同的EUV工艺制造高通的5G移动芯片组。
另一方面，三星正与代工客户索尼在不断增长的图像传感器市场展开竞争，今年发布了史无前例的1.08亿像素智能手机摄像头。彭博智库分析师安希·赖(Anthea Lai)表示：“搭上行业繁荣的顺风车后，我认为三星的CMOS图像传感器业务将继续表现良好。”
如果三星能够在技术上取得进步，它应该会发现，其多样化的半导体产品不会缺少客户。尽管中国越来越多地向国内供应商寻求各种技术支持，但EUV芯片的更高效率可能是帮助三星从中国招揽业务的关键。
TrendForce分析师指出：“各大公司对内部芯片的需求增加，这对晶圆代工行业的成长来说是个好消息。”
香港鑫锐电子公司部分现货：
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今天宣布，推出首款eFuse IC“TCKE8xx系列”。该系列包括六款产品，支持电源线路中电路保护所需的各类功能。该系列中有两款产品于今天开始发货
eFuse IC产品图
eFuse IC最显著的特点是可以重复使用。玻璃管熔断器和芯片熔断器等传统物理熔断器在过流状态下实际切断供电线路，起到保护供电线路的作用，一旦熔断就需要更换。而eFuse IC产品在发生异常时用自己的线路切断供电线路，可以重置并重复使用。
另一大优势在于，eFuse IC能避免复杂的线路设计，并取消一定数量的元器件。与使用分立式元器件保障的安全功能相比，能通过较少数量的元器件和较小占板面积显著简化电路设计。
新推出的TCKE8xx系列将过流检测精度提升至超过物理熔断器的水平，实现高度可靠的线路保护。此外，eFuse IC还提供电流钳模式和电压钳模式，防止发生过流和过压。通过将电流和电压箝制在额定值上，它们能保护电路并维持供电，即使是在施加过流或过压的情况下也可提供保护功能。eFuse IC还提供过热保护和短路保护功能，在发生严重过热或意外短路的现象时，能立即切断电源，起到保护电路的作用。
这些特性完美结合，使该系列产品能够为服务器和笔记本电脑等电子设备提供有力保护。上述设备近年来对耐压、耐流性能的要求不断提高。由于东芝计划通过国际高水平安全标准IEC 62368-1的认证，他们也将简化客户设备需要进行的认证测试。
该产品线提供两种类型的产品：一种是自动重试恢复型，eFuse本身自动恢复线路;另一种是锁存型，采用外部信号进行恢复。客户可以根据自己的需求和设备的大小选择合适的eFuse IC产品。
应用：
ü 供电线路的电路保护
(服务器、SSD、笔记本电脑、游戏机和增强现实/虚拟现实设备等)
特性：
ü 过流限制精度：±11%_@Ta=-40至+85℃，ILIM=4.38A
ü 高速短路保护：tFastOffDly=150ns(典型值)@Ta=-40至+85℃
ü 高输出电流：IOUT=0至5.0A
ü 薄型紧凑封装：3.00×3.00mm(典型值)，t=0.75mm(最大值)
