TL431ILP 2.495V to 36V， TO-226AA-3原装正品
TL431ILP Voltage Reference， Precision， Shunt - Adjustable， TL431 Series， 2.495V to 36V， TO-226AA-3
TL431ILP产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1，000
Reference 型 Shunt， Adjustable， Precision
Voltage - 输出功率 2.495 V ~ 36 V
公差 ±2%_
温度系数 34ppm/°C Typical
Voltage - 输入 2.495 V ~ 36 V
频道数目 1
电流 - 阴极 1mA
电流 - 静态 -
Current - 输出功率 100mA
操作温度 -40°C ~ 85°C
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3， TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
包装 3TO-92
参考类型 Adjustable
拓扑结构 Shunt
输出电压 2.495 to 36 V
最大输入电压 37 V
初始精度 2 %_
最大温度系数 34(Typ) ppm/°C
工作温度 -40 to 85 °C
最大输出电流 100 mA
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
标准包装 Bulk
电流 - 阴极 1mA
安装类型 Through Hole
供应商设备封装 TO-92-3
电压 - 输出 2.495 V ~ 36 V
封装 Bulk
电流 - 输出 100mA
通道数 1
温度系数 92ppm/°C
电压 - 电压 2.495 V ~ 36 V
容差 ±2%_
封装/外壳 TO-226-3， TO-92-3 (TO-226AA)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 4.83 x 3.43 x 3.68mm
身高 3.68mm
长度 4.83mm
最高工作温度 +85 °C
最大输出电压 36 V
最低工作温度 -40 °C
最小输出电压 2.5 V
包装类型 TO-92
引脚数 3
宽度 3.43mm
工厂包装数量 1000
产品 Voltage References
产品种类 Voltage References
安装风格 Through Hole
系列 TL431
封装/外壳 TO-92-3
单位重量 0.007520 oz
平均温度系数 - 典型值 34 PPM / C
分流电流 - 最小 600 uA
串联VREF - 输入电压 - 最大 37 V
RoHS RoHS Compliant
分流电流 - 最大电流 100 mA
Input Voltage Min :2.495V
Input Voltage Max :36V
参考电压 :2.495V
Reference Voltage Tolerance :55mV
Voltage Reference Case Style :TO-92
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Accuracy %_:2%_
Base Number :431
Cathode Current Ik Max :100mA
IC Generic Number :431
输入电压 :2.495V to 36V
Logic Function Number :431
Operating Temperature Max :85°C
Operating Temperature Min :-40°C
工作温度范围 :-40°C to +85°C
Operating Voltage Tolerance + :2%_
Output Current Max :100mA
Output Voltage Max :36V
Output Voltage Min :2.5V
Reference Volt Tolerance ±%_:2%_
Temperature Coeff Over Temp Range :14mV
电压稳压器类型 :Shunt
Weight (kg) 0.000075
Tariff No. 85423990
外媒称，在中国的半导体行业，不采用英国安谋科技公司(ARM)知识产权(IP)的开发正在增加。避开堪称世界标准的ARM，一些中国企业利用任何人都能自由使用的“开源”知识产权相继开发出了半导体。这种趋势符合中国推进高科技产品自主开发的强化政策。
据《日本经济新闻》网站11月8日报道，最近一段时间，中国提出强化半导体供应链。虽然在制造设备和原材料方面的培育进展迟缓，但在电路设计领域，出现了一些具有世界水平的企业。
报道称，近期，有中国企业推出了用于近距离无线通信“蓝牙”的半导体芯片，用于无线耳机的控制;还有企业推出了搭载自主开发的相关芯片的可穿戴终端。不仅如此，也有中国企业参加了管理相关知识产权的组织，部分企业则启动了相关芯片的开发。
谷歌和美国国际商用机器公司(IBM)等美国企业也参加的此类组织对中国企业的行动表示欢迎。
报道称，当前，外界对属于世界最大半导体市场的中国充满期待，其中不乏一些位于美国的机构。
另据美国《华尔街日报》网站此前报道，中国新设了一只价值2041.5亿元人民币的国家半导体基金。该国正寻求培育本土芯片产业，并缩小与美国的技术差距。
报道称，根据企业注册信息，这只政府支持的基金规模比2014年发起的一只类似基金大近90亿美元(1美元约合6.99元人民币)，那只基金筹集了约1390亿元人民币。
TL431ILP TL431ILP TL431ILP TL431ILP TL431ILP TL431ILP
TL431ILP TL431ILP TL431ILP TL431ILP TL431ILP TL431ILP
AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ
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鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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在4G LTE蜂窝基站后期部署中，普遍采用大规模多路输入、多路输出(MIMO)无线电技术，特别是在密集的城市地区，小型蜂窝有效地填补了蜂窝覆盖的空白，同时提高了数据服务速度。此架构的成功清楚印证了其价值。因为这种架构本身具备所需的频谱效率和传输可靠性，它将成为新兴的5G网络无线电的首选架构。让5G变成现实的挑战在于，设计人员必须大幅增加同时在多个频段运行的收发器通道的数量，同时将所有必要的硬件压缩整合到与前一代设备同样大小或更小的空间中。
这样做意味着：
u 通道越多，基站内外的射频功率就越高，如此会加剧相互无干扰的通道之间隔离的问题。
u 为了在高功率信号下保持可靠性，接收器前端组件必须提高动态范围性能。
u 解决方案的尺寸非常重要。
u 随着电子设备和发射器功率不断增加，必须解决热管理问题。
为了寻求更高的数据速率来支持各种无线服务和不同的传输方案，系统设计人员面临着电路更复杂，同时必须满足类似的尺寸、功率和成本预算的境况。在基站塔中增加更多收发通道可以获得更高的吞吐量，但在更高的射频功率等级上实现每个通道，与将系统的复杂度和成本保持在可接受的水平一样重要。为了实现更高的射频功率，硬件设计人员在射频前端设计中没有太多选择，而是依赖于需要高偏置功率和复杂外设电路的传统解决方案来实现，这使得实现设计目标时更加困难。
ADI公司最近推出适合时分双工(TDD)系统的多芯片模块，其中集成低噪声放大器(LNA)和高功率开关。ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549系列涵盖1.8 GHz至5.3 GHz蜂窝频段，针对M-MIMO天线接口进行了优化设计。该全新系列器件通过硅工艺集成高功率开关以及GaAs工艺集成高性能低噪声放大器，兼具高射频功率处理能力和高集成度，无需牺牲任何一方面——可谓两全其美。
双通道架构
M-MIMO RF前端设计的ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549应用框图如图1所示。该器件通道中集成高功率开关和两级LNA。在收发器以接收模式运行期间，开关将输入信号路由至LNA输入。在发射模式期间，输入路由至50 Ω端电极，以确保与天线接口正确匹配，并将LNA与天线的任何反射功率隔离。集成式双通道架构允许设计人员轻松扩展MIMO，使其超过传统设备8×8(8发射器×8接收器)配置的限制，达到16×16、32×32、64×64，甚至更高。
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